判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流IBS,然后再根據(jù)實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處于飽和狀態(tài)。

　　飽和的條件： 1.集電極和電源之間有電阻存在  且越大就越容易管子飽和；2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現(xiàn)b較c電壓高的情況。

　　影響飽和的因素：1.集電極電阻 越大越容易飽和；2.管子的放大倍數(shù)  放大倍數(shù)越大越容易飽和；3.基集電流的大小。

　　飽和后的現(xiàn)象：1.基極的電壓大于集電極的電壓；2.集電極的電壓為0.3左右，基極為0.7左右（假設(shè)e極接地）。

　　談論飽和不能不提負載電阻。假定晶體管集-射極電路的負載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為R,則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R,隨著Ib的增大，Vce減小，當Vce<0.6V時，B-C結(jié)即進入正偏，Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大，就可以認為已經(jīng)進入飽和狀態(tài)了。當然Ib如果繼續(xù)增大，會使Vce再減小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度飽和了。以上是對NPN型硅管而言。

　　另外一個應該注意的問題就是：在Ic增大的時候，hFE會減小，所以我們應該讓三極管進入深度飽和Ib》Ic（max）/hFE,Ic（max）是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，當然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價的。

　　注意：飽和時Vb>Vc,但Vb>Vc不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據(jù)還是放大倍數(shù)，有的管子Vb>Vc時還能保持相當高的放大倍數(shù)。例如：有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和，Ic/Ib<1應該屬于深飽和了。

從晶體管特性曲線看飽和問題：我前面說過：“談論飽和不能不提負載電阻。現(xiàn)在再作詳細一點的解釋。”

以某晶體管的輸出特性曲線為例。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止，為了說明方便，我向右延伸到了4.0V。

如果電源電壓為V,負載電阻為R,那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束：Ic = （V-Vce）/R。

信息來自：鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器