8050和8550三極管TO-92封裝外形和引腳排列           8050和8550三極管SOT-23封裝外形和引腳排列

      8050和8550三極管在電路應(yīng)用中經(jīng)常作為對(duì)管來使用，當(dāng)然很多時(shí)候也作為單管應(yīng)用。8050 為硅材料NPN型三極管；8550 為硅材料PNP型三極管。

8050S 8550S S8050 S8550 參數(shù)：
耗散功率0.625W（貼片：0.3W）
集電極電流0.5A
集電極--基極電壓40V
集電極--發(fā)射極擊穿電壓25V
特征頻率fT 最小150MHZ 典型值產(chǎn)家的目錄沒給出
按三極管后綴號(hào)分為 B C D檔 貼片為 L H檔
放大倍數(shù)B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 參數(shù)：
耗散功率1W
集電極電流1.5A
集電極--基極電壓40V
集電極--發(fā)射極擊穿電壓25V
特征頻率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍數(shù)：按三極管后綴號(hào)分為 B C D檔
放大倍數(shù)B：85-160 C：120-200 D：160-300

8050SS 8550SS 參數(shù)：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 
集電極電流1.5A
集電極--基極電壓40V
集電極--發(fā)射極擊穿電壓25V
特征頻率fT 最小100MHZ
放大倍數(shù)：按三極管后綴號(hào)分為 B C D D3 共4檔
放大倍數(shù) B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400
引腳排列有EBC ECB兩種

SS8050 SS8550 參數(shù)：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 
集電極電流1.5A
集電極--基極電壓40V
集電極--發(fā)射極擊穿電壓25V
特征頻率fT 最小100MHZ
放大倍數(shù)：按三極管后綴號(hào)分為 B C D 共3檔
放大倍數(shù) B：85-160 C：120-200 D：160-300
引腳排列多為EBC

UTC的 S8050 S8550 引腳排列有EBC
8050S 8550S 引腳排列有ECB
這種管子很少見
參數(shù)：
耗散功率1W
集電極電流0.7A
集電極--基極電壓30V
集電極--發(fā)射極擊穿電壓20V
特征頻率fT 最小100MHZ 典型產(chǎn)家的目錄沒給出
放大倍數(shù)：按三極管后綴號(hào)分為C D E檔
C：120-200 D：160-300 E：280-400

NEC的8050
最大集電極電流(A):0.5 A; 
直流電增益:10 to 60; 
功耗:625 mW; 
最大集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）:25; 
頻率:150 MHz .

其它的8050
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

值得注意的是，在代換相應(yīng)的8050或8550三極管時(shí)，除了型號(hào)匹配，放大倍數(shù)也是很重要的參數(shù)。

信息來自：鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器