怎么分析并聯(lián)晶體振蕩器？
1.并聯(lián)晶體振蕩器電路如圖5-52所示，晶體B作為反饋元件，并聯(lián)于晶體管VT的集電極與基極之間。R1、R2為晶體管VT的基極偏置電阻，R3為集電極電阻，R4為發(fā)射極電阻。C1為基極旁路電容。

2.從圖5-53所示交流等效電路可見，這是一個電容三點式振蕩器，晶體B在這里等效為一個電感元件使用，與震蕩回路電容C2、C3一起組成并聯(lián)諧振回路，共同決定電路的振蕩頻率。


3.并聯(lián)晶體振蕩器穩(wěn)頻原理如下：因為晶體的電抗曲線非常陡峭，可等效為一個隨頻率有很大變化的電感。當由于溫度、分布電容因素使振蕩頻率降低時，晶體的效應電感量就會迅速減小，迫使振蕩頻率回升；反之則作反向調整，最終使得振蕩器具有很高的頻率穩(wěn)定度。

信息來自：泰藝晶振   鉭電容